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IPA65R190E6
2.194
IPA65R190E6 数据手册 (19 页)
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IPA65R190E6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
190 mΩ
极性
N-CH
功耗
34 W
漏源极电压(Vds)
700 V
漏源击穿电压
700 V
连续漏极电流(Ids)
20.8A
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
1620pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
34 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
34 W

IPA65R190E6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tube
长度
10.65 mm
宽度
4.85 mm
高度
16.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPA65R190E6 数据手册

Infineon(英飞凌)
19 页 / 2.15 MByte
Infineon(英飞凌)
92 页 / 0.53 MByte

IPA65R190 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA65R190CFDXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA65R190CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA65R190C7XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
PG-TO220 整包
Infineon(英飞凌)
PG-TO220 整包
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA65R190C7  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
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