￥ 4.131

IPB010N06N 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-7

描述:

INFINEON IPB010N06N 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0008 ohm, 10 V, 2.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB010N06N 数据手册 (42 页)

典型应用电路图在25 页 34 页

原理图在5 页 26 页 27 页

IPB010N06N 数据手册 (42 页)

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IPB010N06N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

7 Pin

封装

TO-263-7

针脚数

7 Position

漏源极电阻

0.0008 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

180A

上升时间

36 ns

输入电容值(Ciss)

15000pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

23 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IPB010N06N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.31 mm

宽度

4.57 mm

高度

9.45 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IPB010N06N 符合标准

IPB010N06N 海关信息

IPB010N06N 概述

IPB010N06N 数据手册

Infineon（英飞凌）

42 页 / 6.03 MByte

IPB010N06N 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB010N06N 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

34 页 / 2.17 MByte

IPB010N06N 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPB010N06 数据手册

IPB010N06NATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPB010N06NATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0008 ohm, 10 V, 2.8 V

IPB010N06N 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPB010N06N 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0008 ohm, 10 V, 2.8 V

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