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ZXMN3F30FHTA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

ZXMN3F30 系列 30 V 0.047 Ohm N 沟道增强模式 MOSFET - SOT-23

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZXMN3F30FHTA 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

ZXMN3F30FHTA 数据手册 (8 页)

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ZXMN3F30FHTA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.047 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.4 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

4.60 A

上升时间

2.6 ns

输入电容值(Ciss)

318pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

950 mW

下降时间

9.3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

950mW (Ta)

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ZXMN3F30FHTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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ZXMN3F30FHTA 符合标准

ZXMN3F30FHTA 概述

ZXMN3F30FHTA 数据手册

Diodes（美台）

8 页 / 0.4 MByte

ZXMN3F30FHTA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

293 页 / 0.91 MByte

ZXMN3F30FHTA 开发手册

Diodes（美台）

7 页 / 0.59 MByte

ZXMN3F30FHTA 产品封装文件

Diodes（美台）

12 页 / 0.57 MByte

ZXMN3F30 数据手册

ZXMN3F30FHTA 数据手册

Diodes（美台）

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N 沟道 MOSFET，30V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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