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IPB042N10N3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-2

描述:

100V,100A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB042N10N3G 数据手册 (11 页)

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IPB042N10N3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-2

极性

N-Channel

漏源极电压(Vds)

100 V

输入电容值(Ciss)

6320pF @50V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

214 W

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IPB042N10N3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.31 mm

宽度

9.45 mm

高度

4.57 mm

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IPB042N10N3G 符合标准

IPB042N10N3G 概述

IPB042N10N3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.51 MByte

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