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IPB65R045C7
9.759
IPB65R045C7 数据手册 (15 页)
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IPB65R045C7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.04 Ω
极性
N-Channel
功耗
227 W
阈值电压
3.5 V
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
46A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
4340pF @400V(Vds)
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
227 W

IPB65R045C7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.31 mm
宽度
9.25 mm
高度
4.57 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPB65R045C7 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 1.75 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 1.03 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPB65R045 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPB65R045C7ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 46 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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