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ISL9V3040P3
2.263
ISL9V3040P3 数据手册 (8 页)
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ISL9V3040P3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
400 V
额定电流
21.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
功耗
150 W
上升时间
2.10 µs
击穿电压(集电极-发射极)
430 V
额定功率(Max)
150 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
150 W

ISL9V3040P3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
工作温度
-40℃ ~ 175℃ (TJ)

ISL9V3040P3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.36 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.36 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

ISL9V3040 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  ISL9V3040D3ST  单晶体管, IGBT, 21 A, 1.9 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  ISL9V3040S3ST  单晶体管, IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-263AB, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  ISL9V3040P3  单晶体管, IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-220AB, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor ISL9V3040D3ST N沟道 IGBT, 21 A, Vce=300 V, 1MHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor ISL9V3040S3ST N沟道 IGBT, 21 A, Vce=450 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor ISL9V3040P3 N沟道 IGBT, 21 A, Vce=450 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
EcoSPARKTM 300mJ , 400V , N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
Fairchild(飞兆/仙童)
EcoSPARKTM 300mJ , 400V , N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
ON Semiconductor(安森美)
ISL9V3040D3STV: IGBT,N 沟道,点火,DPAK,17A,1.58V,300mJ EcoSPARK I
UTC(友顺)
双极晶体管
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