￥ 24.736

IXBT42N170 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-268-3

描述:

IXBT 系列 1700 Vce 75 A 45 ns t(on) 双极性 MOS 晶体管 - TO-268

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXBT42N170 数据手册 (5 页)

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IXBT42N170 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-268-3

功耗

360000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

1700 V

反向恢复时间

1.32 µs

额定功率(Max)

360 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

360000 mW

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IXBT42N170 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXBT42N170 符合标准

IXBT42N170 海关信息

IXBT42N170 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.17 MByte

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