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IPD110N12N3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3GATMA1, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD110N12N3GATMA1 数据手册 (11 页)

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IPD110N12N3GATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0092 Ω

极性

N-Channel

功耗

136 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

120 V

连续漏极电流(Ids)

75A

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

3240pF @60V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

136W (Tc)

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IPD110N12N3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.41 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPD110N12N3GATMA1 符合标准

IPD110N12N3GATMA1 概述

IPD110N12N3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.57 MByte

IPD110N12N3GATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

IPD110N12N3GATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 0.88 MByte

IPD110N12N3GATMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.05 MByte

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