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STW50N65DM2AG 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道 650V 28A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW50N65DM2AG 数据手册 (13 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STW50N65DM2AG 数据手册 (13 页)

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STW50N65DM2AG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

87 mΩ

极性

N-CH

功耗

300 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

650 V

漏源击穿电压

650 V

连续漏极电流(Ids)

38A

上升时间

21 ns

输入电容值(Ciss)

3200pF @100V(Vds)

下降时间

10.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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STW50N65DM2AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

20.15 mm

宽度

15.75 mm

高度

5.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STW50N65DM2AG 符合标准

STW50N65DM2AG 概述

STW50N65DM2AG 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.62 MByte

STW50N65DM2AG 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.26 MByte

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N沟道 650V 28A

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