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Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IPD50P04P413ATMA1 Datasheet 文档
IPD50P04P413ATMA1
0.552
IPD50P04P413ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPD50P04P413ATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0092 Ω
极性
P-Channel
功耗
58 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
50A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
3670pF @25V(Vds)
下降时间
28 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
58W (Tc)

IPD50P04P413ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IPD50P04P413ATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 0.46 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.1 MByte

IPD50P04P413 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPD50P04P4-13  晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.0092 ohm, -10 V, -3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPD50P04P413ATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.0092 ohm, -10 V, -3 V
Infineon(英飞凌)
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