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IPD50P04P4L-11 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IPD50P04P4L-11 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.0082 ohm, -10 V, -1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD50P04P4L-11 数据手册 (9 页)

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IPD50P04P4L-11 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0082 Ω

极性

P-Channel

功耗

58 W

阈值电压

2.2 V

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

连续漏极电流(Ids)

50A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

3900pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

58 W

下降时间

39 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

58W (Tc)

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IPD50P04P4L-11 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPD50P04P4L-11 符合标准

IPD50P04P4L-11 海关信息

IPD50P04P4L-11 概述

IPD50P04P4L-11 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.11 MByte

IPD50P04P4L-11 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPD50P04P4L-11 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 4.06 MByte

IPD50P04P4L-11 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

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