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IPD600N25N3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD600N25N3 G 数据手册 (9 页)

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IPD600N25N3 G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

漏源极电阻

0.051 Ω

极性

N-Channel

功耗

136 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

250 V

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

1770pF @100V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

136 W

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IPD600N25N3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.41 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IPD600N25N3 G 符合标准

IPD600N25N3 G 概述

IPD600N25N3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.47 MByte

IPD600N25N3 G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD600N25N3 G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPD600N25N3 G 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPD600N25N3 数据手册

IPD600N25N3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPD600N25N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.051 ohm, 10 V, 3 V

IPD600N25N3 G 数据手册

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250V,25A,N沟道功率MOSFET

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