IPD60R2K0C6

￥ 0.382

IPD60R2K0C6 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD60R2K0C6 数据手册 (14 页)

IPD60R2K0C6 数据手册 (14 页)

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IPD60R2K0C6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.8 Ω

极性

N-Channel

功耗

22.3 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

2.4A

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

140pF @100V(Vds)

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

22.3 W

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IPD60R2K0C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.41 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPD60R2K0C6 符合标准

IPD60R2K0C6 海关信息

IPD60R2K0C6 概述

IPD60R2K0C6 数据手册

IPD60R2K0C6 数据手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 1.27 MByte

IPD60R2K0C6 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD60R2K0C6 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPD60R2K0C6 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPD60R2K0C6 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.19 MByte

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