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NGTB35N65FL2WG
3.636
NGTB35N65FL2WG 数据手册 (10 页)
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NGTB35N65FL2WG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
功耗
300 W
击穿电压(集电极-发射极)
650 V
反向恢复时间
68 ns
额定功率(Max)
300 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 W

NGTB35N65FL2WG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.26 mm
宽度
5.3 mm
高度
21.08 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NGTB35N65FL2WG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 1.89 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.72 MByte

NGTB35N65FL2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NGTB35N65FL2WG  单晶体管, IGBT, 70 A, 1.7 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
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