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IPD60R380C6
0.859
IPD60R380C6 数据手册 (19 页)
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IPD60R380C6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.34 Ω
极性
N-Channel
功耗
83 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
10.6A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
700pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
83 W
下降时间
9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
83W (Tc)

IPD60R380C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPD60R380C6 数据手册

Infineon(英飞凌)
19 页 / 1.18 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
52 页 / 3.25 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPD60R380 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPD60R380C6ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPD60R380P6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPD60R380P6BTMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPD60R380E6BTMA1 TO-252-3
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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