￥ 6.32

HGTG18N120BN 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

54A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

HGTG18N120BN 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

HGTG18N120BN 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.20 kV

额定电流

54.0 A

封装

TO-247-3

额定功率

390 W

功耗

390 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

额定功率(Max)

390 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

390000 mW

查看数据手册 >

HGTG18N120BN 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

15.87 mm

宽度

4.82 mm

高度

20.82 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

HGTG18N120BN 符合标准

HGTG18N120BN 海关信息

HGTG18N120BN 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.11 MByte

HGTG18N120BN 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.24 MByte

HGTG18N120 数据手册

HGTG18N120BND 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG18N120BND 单晶体管, IGBT, 通用, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

HGTG18N120BN 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

54A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

HGTG18N120BND 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor HGTG18N120BND N沟道 IGBT, 54 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装

HGTG18N120BND 数据手册

Intersil（英特矽尔）

54A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

HGTG18N120BN 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

HGTG18N120BND_07 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

54A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

HGTG18N120BND_Q 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

HGTG18N120BND 数据手册

Harris

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号