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Datasheet 搜索 > Flash芯片 > Micron(镁光) > M29DW323DB70N6E Datasheet 文档
M29DW323DB70N6E
器件3D模型
1.837
M29DW323DB70N6E 数据手册 (51 页)
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M29DW323DB70N6E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
48 Pin
电源电压
2.70V (min)
封装
TSOP-48
针脚数
48 Position
位数
8, 16 Bit
存取时间
70 ns
内存容量
4000000 B
存取时间(Max)
70 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2.7 V

M29DW323DB70N6E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

M29DW323DB70N6E 数据手册

Micron(镁光)
51 页 / 1.28 MByte
Micron(镁光)
51 页 / 1.29 MByte

M29DW323DB70N6 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ,双银8:24 ,引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
Micron(镁光)
ST Microelectronics(意法半导体)
Micron(镁光)
MICRON  M29DW323DB70N6E  闪存, 引导块, 非, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
Micron(镁光)
ST Microelectronics(意法半导体)
32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ,双银8:24 ,引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics(意法半导体)
32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ,双银8:24 ,引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics(意法半导体)
32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ,双银8:24 ,引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
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