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IPG20N04S4L-08A
0.617
IPG20N04S4L-08A 数据手册 (138 页)
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IPG20N04S4L-08A 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
PG-TDSON-8
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
20A

IPG20N04S4L-08A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

IPG20N04S4L-08A 数据手册

Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
35 页 / 2.04 MByte

IPG20N04S4L08 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPG20N04S4L-08  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.0072 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPG20N04S4L08ATMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.0072 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon(英飞凌)
2个N沟道 40V 20A
Infineon(英飞凌)
2个N沟道 40V 20A
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