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STP200N3LL 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N-沟道 30 V 2.4 mOhm 法兰安装 N-沟道功率 MOSFET - TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STP200N3LL 数据手册 (60 页)

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STP200N3LL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

176.5 W

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

183 ns

输入电容值(Ciss)

5200pF @25V(Vds)

下降时间

108 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

176.5W (Tc)

STP200N3LL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP200N3LL 符合标准

STP200N3LL 概述

STP200N3LL 数据手册

STP200N3LL 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

60 页 / 4.35 MByte

STP200N3LL 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 1.45 MByte

STP200N3LL 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.65 MByte

STP200N3 数据手册

STP200N3LL 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N-沟道 30 V 2.4 mOhm 法兰安装 N-沟道功率 MOSFET - TO-220-3

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