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IPG20N04S4L08AATMA1
0.439
IPG20N04S4L08AATMA1 数据手册 (138 页)
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IPG20N04S4L08AATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
PG-TDSON-8-10
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
3 ns
输入电容值(Ciss)
3050pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
54 W
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
54000 mW

IPG20N04S4L08AATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.9 mm
宽度
5.15 mm
高度
1.27 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IPG20N04S4L08AATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
35 页 / 2.04 MByte

IPG20N04S4L08 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPG20N04S4L-08  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.0072 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPG20N04S4L08ATMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.0072 ohm, 10 V, 1.7 V
Infineon(英飞凌)
2个N沟道 40V 20A
Infineon(英飞凌)
2个N沟道 40V 20A
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