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IPG20N06S2L-35A
0.777
IPG20N06S2L-35A 数据手册 (9 页)
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IPG20N06S2L-35A 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TDSON-8
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
20A

IPG20N06S2L-35A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

IPG20N06S2L-35A 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.19 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte

IPG20N06S2L35 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPG20N06S2L-35  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPG20N06S2L35ATMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPG20N06S2L-35A TDSON-8
Infineon(英飞凌)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V
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