￥ 0.971

IPP075N15N3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPP075N15N3G 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPP075N15N3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

N-Channel

功耗

300 W

耗散功率(Max)

300W (Tc)

查看数据手册 >

IPP075N15N3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

查看数据手册 >

IPP075N15N3G 符合标准

IPP075N15N3G 海关信息

IPP075N15N3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.72 MByte

IPP075N15N3G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.44 MByte

IPP075N15N3 数据手册

IPP075N15N3GXKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPP075N15N3GXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V

IPP075N15N3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPP075N15N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V

IPP075N15N3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

IPP075N15N3GHKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号