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SI2308BDS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

N通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2308BDS-T1-GE3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页 8 页

SI2308BDS-T1-GE3 数据手册 (9 页)

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SI2308BDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.13 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.09 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

2.30 A

上升时间

16 ns

正向电压(Max)

1.2 V

输入电容值(Ciss)

190pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

1.66 W

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.09W (Ta), 1.66W (Tc)

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SI2308BDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

宽度

1.4 mm

高度

1.02 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

查看数据手册 >

SI2308BDS-T1-GE3 符合标准

SI2308BDS-T1-GE3 海关信息

SI2308BDS-T1-GE3 概述

SI2308BDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.21 MByte

SI2308BDS-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

11 页 / 0.24 MByte

SI2308BDS-T1-GE3 产品修订记录

VISHAY（威世）

2 页 / 0.09 MByte

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