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IPP65R190C7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

INFINEON IPP65R190C7 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPP65R190C7 数据手册 (15 页)

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IPP65R190C7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.168 Ω

极性

N-Channel

功耗

72 W

阈值电压

3.5 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

13A

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

1150pF @400V(Vds)

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

72 W

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IPP65R190C7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.36 mm

宽度

15.95 mm

高度

4.57 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPP65R190C7 符合标准

IPP65R190C7 概述

IPP65R190C7 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 1.61 MByte

IPP65R190C7 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPP65R190C7 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 1.03 MByte

IPP65R190C7 开发手册

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37 页 / 2.01 MByte

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