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IPS511GTR
器件3D模型
2.38
IPS511GTR 数据手册 (11 页)
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IPS511GTR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
输出接口数
1 Output
输出电流
1.4 A
供电电流
0.7 mA
功耗
1 W
上升时间
95 µs
输出电流(Max)
1.4 A
下降时间
50 µs
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

IPS511GTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.98 mm
宽度
3.99 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IPS511GTR 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
39 页 / 0.17 MByte

IPS511 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
IRF
充分保护高侧功率MOSFET开关 FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH
Infineon(英飞凌)
IPS),Infineon过热关闭 短路保护,电流限制断路 有源箝位 低电流与逻辑电平输入 EMI 优化开/关 ESD 保护 ### 电源开关,Infineon
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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