￥ 0.214

IPU60R2K1CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

600V,2.3A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPU60R2K1CE 数据手册 (14 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPU60R2K1CE 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

极性

N-CH

功耗

22 W

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

2.3A

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

140pF @100V(Vds)

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

38000 mW

查看数据手册 >

IPU60R2K1CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

2.38 mm

高度

6.22 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

IPU60R2K1CE 符合标准

IPU60R2K1CE 海关信息

IPU60R2K1CE 数据手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 1.23 MByte

IPU60R2K1CE 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPU60R2K1CE 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

51 页 / 2.6 MByte

IPU60R2K1CE 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPU60R2K1 数据手册

IPU60R2K1CEBKMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V

IPU60R2K1CE 数据手册

Infineon（英飞凌）

600V,2.3A,N沟道功率MOSFET

IPU60R2K1CEAKMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号