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IRGPS66160DPBF
64.639
IRGPS66160DPBF 数据手册 (12 页)
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IRGPS66160DPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-274-3
功耗
750 W
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
95 ns
额定功率(Max)
750 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
750 W

IRGPS66160DPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.1 mm
宽度
5.5 mm
高度
20.8 mm
工作温度
-40℃ ~ 175℃ (TJ)

IRGPS66160DPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.63 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte

IRGPS66160 数据手册

Infineon(英飞凌)
IGBT 超过 21A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier IRGPS66160DPBF, N沟道 IGBT 晶体管, 240 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3针 Super-247封装
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