￥ 0.913

STL8DN6LF3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerVDFN-8

描述:

60V,22.5mOhm,7.8A,双N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STL8DN6LF3 数据手册 (12 页)

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STL8DN6LF3 数据手册 (12 页)

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STL8DN6LF3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerVDFN-8

通道数

2 Channel

极性

N-CH

功耗

65 W

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

20A

上升时间

7.7 ns

输入电容值(Ciss)

668pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

65 W

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

65000 mW

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STL8DN6LF3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STL8DN6LF3 符合标准

STL8DN6LF3 海关信息

STL8DN6LF3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.47 MByte

STL8DN6LF3 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 1.33 MByte

STL8DN6LF3 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 1.01 MByte

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60V,22.5mOhm,7.8A,双N沟道功率MOSFET

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