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IR2109S
器件3D模型
0.476
IR2109S 数据手册 (25 页)
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IR2109S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
输出接口数
2 Output
电源电压
10V ~ 20V

IR2109S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 125℃

IR2109S 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
25 页 / 0.34 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.28 MByte

IR2109 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21094SPBF  双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-14
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2109SPBF  双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21094PBF  双路驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, DIP-14
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21091SPBF  芯片, 半桥驱动器 单输入
International Rectifier(国际整流器)
600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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