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IR2111SPBF
器件3D模型
0.956
IR2111SPBF 数据手册 (1 页)
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IR2111SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
20.0V (max)
工作电压
10V ~ 20V
封装
SOIC-8
输出接口数
2 Output
输出电压
620 V
输出电流
250 mA
针脚数
8 Position
功耗
625 mW
零部件系列
IR2111
上升时间
130ns (Max)
下降时间
65ns (Max)
下降时间(Max)
65 ns
上升时间(Max)
130 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IR2111SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

IR2111SPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
1 页 / 0.71 MByte
International Rectifier(国际整流器)
7 页 / 0.18 MByte

IR2111 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2111PBF  双功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2111SPBF  双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2111PBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, DIP-8 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2111SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, SOIC-8 新
International Rectifier(国际整流器)
MOS管驱动器芯片
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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