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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > International Rectifier(国际整流器) > IR2111STRPBF Datasheet 文档
IR2111STRPBF
器件3D模型
0.834
IR2111STRPBF 数据手册 (15 页)
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IR2111STRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
SOIC-8
输出接口数
2 Output
输出电压
620 V
输出电流
250 mA
功耗
0.625 W
上升时间
130 ns
下降时间
65 ns
下降时间(Max)
65 ns
上升时间(Max)
130 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IR2111STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1.5 mm

IR2111STRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
15 页 / 0.15 MByte
International Rectifier(国际整流器)
15 页 / 0.13 MByte

IR2111 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2111PBF  双功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2111SPBF  双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2111PBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, DIP-8 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2111SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, SOIC-8 新
International Rectifier(国际整流器)
MOS管驱动器芯片
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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