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IR2113STRPBF
器件3D模型
0.804
IR2113STRPBF 数据手册 (18 页)
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IR2113STRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
工作电压
10V ~ 20V
封装
SOIC-16
额定功率
1.25 W
上升/下降时间
25ns, 17ns
输出接口数
2 Output
输出电压
620 V
输出电流
2.5 A
通道数
2 Channel
针脚数
16 Position
功耗
1250 mW
静态电流
340 µA
上升时间
35 ns
下降时间
25 ns
下降时间(Max)
25 ns
上升时间(Max)
35 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1250 mW
电源电压
3.3V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IR2113STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.5 mm
宽度
7.6 mm
高度
2.35 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR2113STRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
18 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
15 页 / 0.14 MByte

IR2113 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2113STRPBF  芯片, MOSFET驱动器 高边 & 低边
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2113SPBF  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 94ns延迟, SOIC-16
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2113PBF  双功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 94ns延迟, DIP-14
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2113STRPBF  芯片, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC16
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2113PBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-14 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2113SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC16 新
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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