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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > International Rectifier(国际整流器) > IR21271STRPBF Datasheet 文档
IR21271STRPBF
器件3D模型
1.565
IR21271STRPBF 数据手册 (21 页)
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IR21271STRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
20.0V (max)
封装
SOIC-8
输出接口数
1 Output
输出电压
≤20.0 V
功耗
0.625 W
零部件系列
IR21271
上升时间
130 ns
下降时间
65 ns
下降时间(Max)
65 ns
上升时间(Max)
130 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
9V ~ 20V

IR21271STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

IR21271STRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
21 页 / 0.3 MByte

IR21271 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21271SPBF  芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,单通道,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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