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IR2127STR
器件3D模型
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IR2127STR 数据手册 (16 页)
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IR2127STR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
上升/下降时间
80ns, 40ns
电源电压
12V ~ 20V

IR2127STR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR2127STR 数据手册

Infineon(英飞凌)
16 页 / 0.18 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte

IR2127 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
电流检测单通道驱动器 CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2127SPBF  芯片, MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2127PBF  功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21271SPBF  芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,单通道,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
International Rectifier(国际整流器)
单高边驱动器,非反相输入
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