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IR2127SPBF
器件3D模型
1.025
IR2127SPBF 数据手册 (16 页)
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IR2127SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
SOIC-8
额定功率
625 mW
上升/下降时间
80ns, 40ns
输出接口数
1 Output
输出电压
620 V
输出电流
250 mA
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
功耗
625 mW
静态电流
60 µA
上升时间
80 ns
下降时间
40 ns
下降时间(Max)
65 ns
上升时间(Max)
130 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
12V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IR2127SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR2127SPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
16 页 / 0.18 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.12 MByte

IR2127 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
电流检测单通道驱动器 CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2127SPBF  芯片, MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2127PBF  功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21271SPBF  芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,单通道,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
International Rectifier(国际整流器)
单高边驱动器,非反相输入
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