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IR4427STRPBF
器件3D模型
0.528
IR4427STRPBF 数据手册 (12 页)
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IR4427STRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
15ns, 10ns
输出接口数
2 Output
输出电压
6.20 V
输出电流
2.3 A
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
功耗
625 mW
上升时间
35 ns
下降时间
25 ns
下降时间(Max)
25 ns
上升时间(Max)
35 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
6V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
6 V

IR4427STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.98 mm
宽度
3.99 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR4427STRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.09 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IR4427 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR4427PBF  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 6V-20V电源, 3.3A输出, 65ns延迟, DIP-8
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR4427PBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 低压侧, DIP-8 新
International Rectifier(国际整流器)
双通道低边驱动器
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR4427SPBF  芯片, MOSFET驱动器, 低压侧, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
MOSFET驱动器, 非反相, 5 V至18 V电源, 1.5 A输出, 50 ns延迟, SOT-23-5
Infineon(英飞凌)
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