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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > TI(德州仪器) > ULN2004AD Datasheet 文档
ULN2004AD
器件3D模型
0.326
ULN2004AD 数据手册 (35 页)
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ULN2004AD 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOIC-16
输出电压
50 V
输出电流
500 mA
针脚数
16 Position
正向电压
1.7 V
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
驱动器/包
7
集电极最大允许电流
0.5A
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
-20 ℃
电源电压
6V ~ 15V
输入电压
30 V

ULN2004AD 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
9.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
-20℃ ~ 70℃ (TA)

ULN2004AD 数据手册

TI(德州仪器)
35 页 / 1.29 MByte
TI(德州仪器)
20 页 / 0.49 MByte
TI(德州仪器)
1 页 / 0.13 MByte

ULN2004 数据手册

TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2004ADR  晶体管阵列
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  ULN2004D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  ULN2004A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2004AN  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 350 mA, DIP
TI(德州仪器)
Darlington Transistor Arrays, Texas InstrumentsThis array of seven Darlington transistor circuits is able to drive high output current.### 达林顿晶体管驱动器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2004AID  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
TI(德州仪器)
高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
TI(德州仪器)
高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
TI(德州仪器)
高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
TI(德州仪器)
高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
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