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IRF1010ZPBF
0.563
IRF1010ZPBF 数据手册 (12 页)
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IRF1010ZPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
140 W
通道数
1 Channel
漏源极电阻
7.5 mΩ
极性
N-Channel
功耗
140 W
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
连续漏极电流(Ids)
94A
上升时间
150 ns
输入电容值(Ciss)
2840pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
140 W
下降时间
92 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
140000 mW

IRF1010ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
高度
8.77 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF1010ZPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.38 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRF1010 数据手册

VISHAY(威世)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1010EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1010NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 55 V, 0.011 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1010EZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 8.5 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1010EPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 84A TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
N 沟道 60 V 200 W 130 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - D2PAK
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF1010NSTRRPBF D2PAK
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
IRF1010EZSTRLP 编带
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