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IRF1404ZPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON IRF1404ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 190 A, 40 V, 3.7 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF1404ZPBF 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页 11 页

IRF1404ZPBF 数据手册 (12 页)

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IRF1404ZPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

220 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0037 Ω

极性

N-Channel

功耗

220 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

190A

上升时间

110 ns

输入电容值(Ciss)

4340pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

200 W

下降时间

58 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

220000 mW

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IRF1404ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.54 mm

宽度

4.69 mm

高度

8.77 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF1404ZPBF 符合标准

IRF1404ZPBF 概述

IRF1404ZPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.29 MByte

IRF1404ZPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF1404ZPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF1404ZPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF1404ZPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF1404ZPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

IRF1404ZPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.12 MByte

IRF1404ZPBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.14 MByte

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功率MOSFET （ VDSS = 40V ， RDS（ON） = 0.004ohm ，ID = 162A ） Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)

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