￥ 0.814

CSD16401Q5 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSON-Clip-8

描述:

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD16401Q5 数据手册 (2 页)

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CSD16401Q5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSON-Clip-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0013 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.1 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

25 V

漏源击穿电压

25 V

连续漏极电流(Ids)

100 A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

4100pF @12.5V(Vds)

额定功率(Max)

3.1 W

下降时间

12.7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1W (Ta)

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CSD16401Q5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.1 mm

宽度

5.1 mm

高度

1.05 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD16401Q5 符合标准

CSD16401Q5 海关信息

CSD16401Q5 概述

CSD16401Q5 数据手册

TI（德州仪器）

2 页 / 0.19 MByte

CSD16401Q5 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

3 页 / 0.19 MByte

CSD16401Q5 开发手册

TI（德州仪器）

6 页 / 1.89 MByte

CSD16401Q5 产品修订记录

TI（德州仪器）

5 页 / 0.21 MByte

CSD16401 数据手册

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25V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、2.3mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

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