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IRLB8314PBF
器件3D模型
0.304
IRLB8314PBF 数据手册 (8 页)
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IRLB8314PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0019 Ω
极性
N-Channel
功耗
125 W
阈值电压
1.7 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
171A
上升时间
142 ns
输入电容值(Ciss)
5050pF @15V(Vds)
下降时间
72 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
125W (Tc)

IRLB8314PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLB8314PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.67 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte

IRLB8314 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLB8314PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 30 V, 0.0019 ohm, 10 V, 1.7 V 新
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