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IRF2907ZPBF
0.83
IRF2907ZPBF 数据手册 (12 页)
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IRF2907ZPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
330 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0045 Ω
极性
N-Channel
功耗
330 W
阈值电压
4 V
输入电容
7500 pF
漏源极电压(Vds)
75 V
连续漏极电流(Ids)
170A
上升时间
140 ns
输入电容值(Ciss)
7500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
100 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

IRF2907ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF2907ZPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.05 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.14 MByte

IRF2907 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2907ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2907ZSTRLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V 新
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF2907ZSPBF D2PAK
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2907ZS-7PPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 75 V, 3.8 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 75V 160A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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