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IRF3007STRLPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF3007STRLPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在9 页 10 页

典型应用电路图在1 页

IRF3007STRLPBF 数据手册 (11 页)

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IRF3007STRLPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

极性

N-CH

功耗

120 W

漏源极电压(Vds)

75 V

连续漏极电流(Ids)

62A

上升时间

80 ns

输入电容值(Ciss)

3270pF @25V(Vds)

下降时间

49 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

120W (Tc)

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IRF3007STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF3007STRLPBF 符合标准

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11 页 / 0.31 MByte

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