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IRF3205LPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

描述:

INFINEON IRF3205LPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF3205LPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRF3205LPBF 数据手册 (11 页)

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IRF3205LPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262-3

额定功率

200 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.008 Ω

极性

N-Channel

功耗

200 W

阈值电压

4 V

输入电容

3247pF @25V

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

55 V

连续漏极电流(Ids)

110A

上升时间

101 ns

输入电容值(Ciss)

3247pF @25V(Vds)

下降时间

65 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200W (Tc)

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IRF3205LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

9.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF3205LPBF 符合标准

IRF3205LPBF 海关信息

IRF3205LPBF 概述

IRF3205LPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.27 MByte

IRF3205LPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF3205LPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF3205LPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF3205LPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF3205LPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.19 MByte

IRF3205LPBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.12 MByte

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INFINEON IRF3205STRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V

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