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IRF3709SPBF
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IRF3709SPBF数据手册
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IRF3709/S/LPbF
8 www.irf.com
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
3X
0.55 (.022)
0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.64 (.104)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
4.06 (.160)
3.55 (.140)
1.15 (.045)
MIN
6.47 (.255)
6.10 (.240)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
- A -
10.54 (.415)
10.29 (.405)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
15.24 (.600)
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
3X
1.40 (.055)
1.15 (.045)
2.54 (.100)
2X
0.36 (.014) M B A M
4
1 2 3
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH 4 HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS.
HEXFET
1- GATE
2- DRAIN
3- SOURCE
4- DRAIN
LEAD ASSIGNMENTS
IGBTs, CoPAC
K
1- GATE
2- COLLECTOR
3- EMITTER
4- COLLECTOR
TO-220AB Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TO-220AB Part Marking Information
EXAMPLE:
IN THE ASSEMBLY LINE "C"
THIS IS AN IRF1010
LOT CODE 1789
ASSEMBLED ON WW 19, 1997
PART NUMBER
ASSEMBLY
LOT CODE
DATE CODE
YEAR 7 = 1997
LINE C
WEEK 19
LOGO
RECTIFIER
INTERNATIONAL
Note: "P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"

IRF3709SPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
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IRF3709 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON)最大值= 9.0mohm ,ID = 90A ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3709STRLPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 90A, 30V, 3.1W
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF3709SPBF D2PAK
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3709PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 30V 87A
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF3709SPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 90A, D2-PAK 新
International Rectifier(国际整流器)
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