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IRF3709STRLPBF 数据手册 - International Rectifier（国际整流器）

制造商:

International Rectifier（国际整流器）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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IRF3709/S/LPbF

8 www.irf.com

LEAD ASSIGNMENTS

1 - GATE

2 - DRAIN

3 - SOURCE

4 - DRAIN

- B -

1.32 (.052)

1.22 (.048)

0.55 (.022)

0.46 (.018)

2.92 (.115)

2.64 (.104)

4.69 (.185)

4.20 (.165)

0.93 (.037)

0.69 (.027)

4.06 (.160)

3.55 (.140)

1.15 (.045)

MIN

6.47 (.255)

6.10 (.240)

3.78 (.149)

3.54 (.139)

- A -

10.54 (.415)

10.29 (.405)

2.87 (.113)

2.62 (.103)

15.24 (.600)

14.84 (.584)

14.09 (.555)

13.47 (.530)

1.40 (.055)

1.15 (.045)

2.54 (.100)

0.36 (.014) M B A M

1 2 3

NOTES:

1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB.

2 CONTROLLING DIMENSION : INCH 4 HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS.

HEXFET

1- GATE

2- DRAIN

3- SOURCE

4- DRAIN

LEAD ASSIGNMENTS

IGBTs, CoPAC

1- GATE

2- COLLECTOR

3- EMITTER

4- COLLECTOR

TO-220AB Package Outline

Dimensions are shown in millimeters (inches)

TO-220AB Part Marking Information

EXAMPLE:

IN THE ASSEMBLY LINE "C"

THIS IS AN IRF1010

LOT CODE 1789

ASSEMBLED ON WW 19, 1997

PART NUMBER

ASSEMBLY

LOT CODE

DATE CODE

YEAR 7 = 1997

LINE C

WEEK 19

LOGO

RECTIFIER

INTERNATIONAL

Note: "P" in assembly line

position indicates "Lead-Free"

1
•••
6
7
8
9
10
•••
12

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IRF

功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON）最大值= 9.0mohm ，ID = 90A ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)

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INFINEON IRF3709STRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 90A, 30V, 3.1W

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N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

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INFINEON IRF3709PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 3 V

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N沟道 30V 87A

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