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IRF3709ZCS
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IRF3709ZCS数据手册
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IRF3709ZCS/L
www.irf.com 5
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
25 50 75 100 125 150 175
T
C
, Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
I
D
,
D
r
a
i
n
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
Limited By Package
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
T
J
, Temperature ( °C )
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
G
S
(
t
h
)
G
a
t
e
t
h
r
e
s
h
o
l
d
V
o
l
t
a
g
e
(
V
)
I
D
= 250µA
1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1
t
1
, Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
h
e
r
m
a
l
R
e
s
p
o
n
s
e
(
Z
t
h
J
C
)
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W) τi (sec)
0.832 0.000221
1.058 0.001171
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci i/Ri
Ci= τi/Ri

IRF3709ZCS 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
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International Rectifier(国际整流器)
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IRF3709 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON)最大值= 9.0mohm ,ID = 90A ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3709STRLPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 90A, 30V, 3.1W
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF3709SPBF D2PAK
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3709PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 30V 87A
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF3709SPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 90A, D2-PAK 新
International Rectifier(国际整流器)
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