Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IRF3710LPBF Datasheet 文档
IRF3710LPBF
0.602
IRF3710LPBF 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF3710LPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-262-3
额定功率
200 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.023 Ω
极性
N-CH
功耗
200 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
57A
上升时间
58 ns
输入电容值(Ciss)
3130pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
200 W
下降时间
47 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200W (Tc)

IRF3710LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
15.01 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF3710LPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.29 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

IRF3710 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3710PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF3710PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 57A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3710ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, HEXFET®, N沟道, 59 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3710SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
N 沟道 100 V 200 W 130 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF3710 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z