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IRF3710SPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

INFINEON IRF3710SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF3710SPBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRF3710SPBF 数据手册 (10 页)

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IRF3710SPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

200 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.023 Ω

极性

N-Channel

功耗

200 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

57A

上升时间

58 ns

输入电容值(Ciss)

3130pF @25V(Vds)

下降时间

47 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200W (Tc)

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IRF3710SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF3710SPBF 符合标准

IRF3710SPBF 概述

IRF3710SPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.29 MByte

IRF3710SPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF3710SPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF3710SPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF3710SPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF3710SPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.14 MByte

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N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

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