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IRF520NS
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IRF520NS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
9.70 A
封装
TO-263-3
极性
N-CH
功耗
3.8W (Ta), 48W (Tc)
零部件系列
IRF520NS
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
9.70 A
上升时间
23 ns
输入电容值(Ciss)
330pF @25V(Vds)
下降时间
23 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 48W (Tc)

IRF520NS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF520NS 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.19 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.2 MByte

IRF520 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Harris
N沟道 100V 9.2A
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 11 A, 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 100V 9.2A
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Motorola(摩托罗拉)
N沟道 100V 9.2A
Intersil(英特矽尔)
9.2A , 100V , 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET 9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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